Евтихиев Вадим Павлович


кандидат физико-математических наук


Профиль:
05.11.07 - Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
05.27.03 - Квантовая электроника

Область интересов:
Нанофотоника, полупроводниковые лазеры, эпитаксия, ионно-лучевая литография
Рабочий язык:
Русский

Публикации руководителя
Выходные данные Год Индексирование в БД
Pozina G., Hemmingsson C., Belonovskii A.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Girshova E.I., Ivanov K.A., Rodin S.N., Morozov K.M., Evtikhiev V.P., Kaliteevski M.A. Emission Properties of GaN Planar Hexagonal Microcavities//Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2020, Vol. 217, No. 14, pp. 1900894 2020 Scopus, Web of Science
Belonovskii A.V., Pozina G., Levitskii I.V., Morozov K.M., Mitrofanov M.I., Girshova E.I., Ivanov K.A., Rodin S.N., Evtikhiev V.P., Kaliteevski M.A. Strong Coupling of Excitons in Hexagonal GaN Microcavities//Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 1, pp. 127-130 2020 Scopus, Web of Science
Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Rodin S.N., Lundin W.V., Evtikhiev V.P., Tsatsulnikov A.F., Kaliteevski M.A. Calculation of the Ga+ FIB Ion Dose Distribution by SEM Image//Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 12, pp. 1682-1684 2020 Scopus, Web of Science
Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Voznyuk G.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Mitrofanov M.I., Evtikhiev V.P., Firsov D.A., Vorob’Ev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Quantum-Cascade Lasers with a Distributed Bragg Reflector Formed by Ion-Beam Etching//Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 4, pp. 312-315 2020 Scopus, Web of Science
Ladutenko K.S., Evtikhiev V.P., Revin D.G., Krysa A. MOVPE-grown quantum cascade laser structures studied by Kelvin probe force microscopy//Crystals, 2020, Vol. 10, No. 2, pp. 129 2020 Scopus, Web of Science
Белоновский А.В., Позина Г., Левитский Я.В., Морозов К.М., Митрофанов М., Гиршова Е.И., Иванов К.А., Родин С.Н., Евтихиев В.П., Калитеевский М.А. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах gan гексагональной формы // Физика и техника полупроводников -2020. - Т. 54. - № 1. - С. 85-88 2020 ВАК, РИНЦ
Rodin S.N., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Sakharov A.V., Usov S.O., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Evtikhiev V.P., Kaliteevskii M.A. GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography//Physics of the solid state, 2019, Vol. 61, No. 12, pp. 2335-2337 2019 Scopus, Web of Science
Lundin W.V., Tsatsul’Nikov A.F., Rodin S.N., Sakharov A.V., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Evtikhiev V.P. Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures//Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 16, pp. 2118-2120 2019 Scopus, Web of Science
Sakharov A.V., Usov S.O., Rodin S.N., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Kaliteevskii M.A., Evtikhiev V.P. Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam//Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 16, pp. 2121-2124 2019 Scopus, Web of Science
Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Tatarinov E.E., Rodin S.N., Lundin W.V., Evtikhiev V.P., Mizerov M.N. FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 16, pp. 2114-2116 2018 Scopus, Web of Science
Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Nikolaev D.N., Mizerov M.N., Evtikhiev V.P. Annealing of FIB-Induced Defects in GaAs/AlGaAs Heterostructure//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 14, pp. 1898-1900 2018 Scopus, Web of Science
Митрофанов М.И., Левицкий Я.В., Вознюк Г.В., Татаринов Е.Е., Родин С.Н., Калитеевский М.А., Евтихиев В.П. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления // Физика и техника полупроводников -2018. - Т. 52. - № 7. - С. 816-818 2018 ВАК, РИНЦ
Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. Photoluminescence study of AlGaAs/GaAs heterostructure subsequent to Ga+ focused ion beam etching//Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, 2018, pp. 167 2018 Scopus, Web of Science
Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Nikolaev D.N., Mizerov M.N., Evtikhiev V.P. Effect of annealing FIB-induced defects in GaAs/AlGaAs heterostructure//Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, 2018, pp. 163 2018 Scopus, Web of Science
Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Mizerov M.N., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. The study of photoluminescence properties of AlGaAs/GaAs heterostructure after Ga+ focused ion beam etching//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, No. 5, pp. 051016 2018 Scopus, Web of Science
Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. Effect of Ga+ focused ion beam etching on photoluminescence of AlGaAs/GaAs heterostructure//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1038, No. 1, pp. 012080 2018 Scopus, Web of Science
Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Tatarinov E.E., Rodin S.N., Kaliteevski M.A., Evtikhiev V.P. Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 7, pp. 954–956 2018 Scopus, Web of Science
Масалов С.А., Попов Е.О., Колосько А.Г., Филиппов С.В., Улин В.П., Евтихиев В.П., Атращенко А.В. Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP // Журнал технической физики -2017. - Т. 87. - № 9. - С. 1416-1422 2017 ВАК, РИНЦ
Mitrofanov M.I., Rodin S.N., Levitskii I.V., Troshkov S.I., Sakharov A.V., Lundin W.V., Evtikhiev V.P. Ga focused ion beam etching of a Si3N4/GaN substrate for submicron selective epitaxy//Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 816, No. 1, pp. 012009 2017 Scopus, Web of Science
Masalov S.A., Popov E.O., Kolos’Ko A.G., Filippov S.V., Ulin V.P., Evtikhiev V.P., Atrashchenko A.V. Liquid-metal field electron source based on porous GaP//Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 9, pp. 1424-1430 2017 Scopus, Web of Science
Atrashchenko A.V., Arlauskas A., Adomavicius R., Korotchenkov A.V., Ulin N.V., Krotkus A., Belov P.A., Evtikhiev V.P. Terahertz emission by nanoporous GaP(111)B//International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz, 2015, pp. 7327939 2015 Scopus, Web of Science
Atrashchenko A.V., Arlauskas A., Adomavicius R., Korotchenkov А., Ulin V.P., Belov P.A., Krotkus A., Evtikhiev V.P. Giant enhancement of terahertz emission from nanoporous GaP//Applied Physics Letters, 2014, Vol. 105, No. 19, pp. 191905 2014 Scopus, Web of Science
Ладутенко К.С., Анкудинов А.В., Евтихиев В.П. К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала // Письма в Журнал технической физики -2010. - Т. 36. - № 5. - С. 71-77 2010 ВАК, РИНЦ
Ладутенко К.С., Анкудинов А.В., Евтихиев В.П. Прямое наблюдение утечек неосновных носителей зарядов действующем лазерном диоде методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии // Письма в Журнал технической физики -2009. - Т. 35. - № 12. - С. 74-80 2009 ВАК, РИНЦ