Научные руководители
 |
Евтихиев Вадим Павловичкандидат физико-математических наук Профиль: 05.11.07 - Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы 05.27.03 - Квантовая электроника Область интересов: Нанофотоника, полупроводниковые лазеры, эпитаксия, ионно-лучевая литография Рабочий язык: Русский |
Публикации руководителя
| Выходные данные | Год | Индексирование в БД |
| Pozina G., Hemmingsson C., Belonovskii A.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Girshova E.I., Ivanov K.A., Rodin S.N., Morozov K.M., Evtikhiev V.P., Kaliteevski M.A. Emission Properties of GaN Planar Hexagonal Microcavities//Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2020, Vol. 217, No. 14, pp. 1900894 | 2020 | Scopus, Web of Science |
| Belonovskii A.V., Pozina G., Levitskii I.V., Morozov K.M., Mitrofanov M.I., Girshova E.I., Ivanov K.A., Rodin S.N., Evtikhiev V.P., Kaliteevski M.A. Strong Coupling of Excitons in Hexagonal GaN Microcavities//Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 1, pp. 127-130 | 2020 | Scopus, Web of Science |
| Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Rodin S.N., Lundin W.V., Evtikhiev V.P., Tsatsulnikov A.F., Kaliteevski M.A. Calculation of the Ga+ FIB Ion Dose Distribution by SEM Image//Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 12, pp. 1682-1684 | 2020 | Scopus, Web of Science |
| Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Voznyuk G.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Mitrofanov M.I., Evtikhiev V.P., Firsov D.A., Vorob’Ev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Quantum-Cascade Lasers with a Distributed Bragg Reflector Formed by Ion-Beam Etching//Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 4, pp. 312-315 | 2020 | Scopus, Web of Science |
| Ladutenko K.S., Evtikhiev V.P., Revin D.G., Krysa A. MOVPE-grown quantum cascade laser structures studied by Kelvin probe force microscopy//Crystals, 2020, Vol. 10, No. 2, pp. 129 | 2020 | Scopus, Web of Science |
| Белоновский А.В., Позина Г., Левитский Я.В., Морозов К.М., Митрофанов М., Гиршова Е.И., Иванов К.А., Родин С.Н., Евтихиев В.П., Калитеевский М.А. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах gan гексагональной формы // Физика и техника полупроводников -2020. - Т. 54. - № 1. - С. 85-88 | 2020 | ВАК, РИНЦ |
| Rodin S.N., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Sakharov A.V., Usov S.O., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Evtikhiev V.P., Kaliteevskii M.A. GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography//Physics of the solid state, 2019, Vol. 61, No. 12, pp. 2335-2337 | 2019 | Scopus, Web of Science |
| Lundin W.V., Tsatsul’Nikov A.F., Rodin S.N., Sakharov A.V., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Evtikhiev V.P. Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures//Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 16, pp. 2118-2120 | 2019 | Scopus, Web of Science |
| Sakharov A.V., Usov S.O., Rodin S.N., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Kaliteevskii M.A., Evtikhiev V.P. Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam//Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 16, pp. 2121-2124 | 2019 | Scopus, Web of Science |
| Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Tatarinov E.E., Rodin S.N., Lundin W.V., Evtikhiev V.P., Mizerov M.N. FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 16, pp. 2114-2116 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Nikolaev D.N., Mizerov M.N., Evtikhiev V.P. Annealing of FIB-Induced Defects in GaAs/AlGaAs Heterostructure//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 14, pp. 1898-1900 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Митрофанов М.И., Левицкий Я.В., Вознюк Г.В., Татаринов Е.Е., Родин С.Н., Калитеевский М.А., Евтихиев В.П. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления // Физика и техника полупроводников -2018. - Т. 52. - № 7. - С. 816-818 | 2018 | ВАК, РИНЦ |
| Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. Photoluminescence study of AlGaAs/GaAs heterostructure subsequent to Ga+ focused ion beam etching//Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, 2018, pp. 167 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Voznyuk G.V., Nikolaev D.N., Mizerov M.N., Evtikhiev V.P. Effect of annealing FIB-induced defects in GaAs/AlGaAs heterostructure//Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, 2018, pp. 163 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Mizerov M.N., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. The study of photoluminescence properties of AlGaAs/GaAs heterostructure after Ga+ focused ion beam etching//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, No. 5, pp. 051016 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Voznyuk G.V., Levitskii I.V., Mitrofanov M.I., Nikolaev D.N., Evtikhiev V.P. Effect of Ga+ focused ion beam etching on photoluminescence of AlGaAs/GaAs heterostructure//Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1038, No. 1, pp. 012080 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Voznyuk G.V., Tatarinov E.E., Rodin S.N., Kaliteevski M.A., Evtikhiev V.P. Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching//Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 7, pp. 954–956 | 2018 | Scopus, Web of Science |
| Масалов С.А., Попов Е.О., Колосько А.Г., Филиппов С.В., Улин В.П., Евтихиев В.П., Атращенко А.В. Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP // Журнал технической физики -2017. - Т. 87. - № 9. - С. 1416-1422 | 2017 | ВАК, РИНЦ |
| Mitrofanov M.I., Rodin S.N., Levitskii I.V., Troshkov S.I., Sakharov A.V., Lundin W.V., Evtikhiev V.P. Ga focused ion beam etching of a Si3N4/GaN substrate for submicron selective epitaxy//Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 816, No. 1, pp. 012009 | 2017 | Scopus, Web of Science |
| Masalov S.A., Popov E.O., Kolos’Ko A.G., Filippov S.V., Ulin V.P., Evtikhiev V.P., Atrashchenko A.V. Liquid-metal field electron source based on porous GaP//Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 9, pp. 1424-1430 | 2017 | Scopus, Web of Science |
| Atrashchenko A.V., Arlauskas A., Adomavicius R., Korotchenkov A.V., Ulin N.V., Krotkus A., Belov P.A., Evtikhiev V.P. Terahertz emission by nanoporous GaP(111)B//International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz, 2015, pp. 7327939 | 2015 | Scopus, Web of Science |
| Atrashchenko A.V., Arlauskas A., Adomavicius R., Korotchenkov А., Ulin V.P., Belov P.A., Krotkus A., Evtikhiev V.P. Giant enhancement of terahertz emission from nanoporous GaP//Applied Physics Letters, 2014, Vol. 105, No. 19, pp. 191905 | 2014 | Scopus, Web of Science |
| Ладутенко К.С., Анкудинов А.В., Евтихиев В.П. К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала // Письма в Журнал технической физики -2010. - Т. 36. - № 5. - С. 71-77 | 2010 | ВАК, РИНЦ |
| Ладутенко К.С., Анкудинов А.В., Евтихиев В.П. Прямое наблюдение утечек неосновных носителей зарядов действующем лазерном диоде методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии // Письма в Журнал технической физики -2009. - Т. 35. - № 12. - С. 74-80 | 2009 | ВАК, РИНЦ |